В рамках ОКР «ММК – РВ» по созданию радиационностойких микросборок интерфейса мультиплексного канала передачи данных по ГОСТ Р 52070-2003 (головной исполнитель НТЦ «Модуль») в установленном порядке АО «РУСПРОМ» разработаны микросхемы 5559ИН9Н2 и 5559ИН9ИН4.

Разработанные микросхемы предназначены для использования в качестве приемо-передатчиков в устройствах интерфейса магистральных кодовых линий связи (ППУ МКЛС) по ГОСТ Р 52070-2003 (MIL STD 1553B,”Манчестер II”, США).

Микросхема 5559ИН9 является новым поколением приемо-передатчиков по ГОСТ Р 52070-2003, в которой приемное и передающее устройства выполнены на одном кристалле, могут работать с любым контроллером, имеют прямые и инверсные выходы приемника, прямые и инверсные входы запрета и разрешения работы приемника и передатчика, а также возможность настройки минимального входного сигнала.

Применение микросхемы позволило реализовать дублированный канал связи по ГОСТ Р 52070 - 2003 в микросборке с размером 30мм х 48мм х 4мм (72 вывода), что делает возможным применение данной микросборки в аппаратуре ракетно – космической, авиационной, атомной и другой технике специального назначения с импортозамещением микросборок типа BU 65580, BU 65583 производства фирмы DDC, США.

На предприятии освоено проектирование и изготовление аналоговых интегральных схем на аналоговом БМК 1470 по техническим заданиям заказчика. Использование аналогового БМК позволяет реализовывать различные аналоговые электронные устройства в интегральном исполнении, одновременно включающие в себя операционные усилители, интеграторы, активные фильтры, ИОН, электронные ключи, передатчики и приёмники «манчестерского» кода, а также многие другие узлы.

Конструкторско-технологический вариант аналогового БМК имеет следующие характеристики:

• диэлектрическая изоляция компонентов (КСДИ-ПК);
• 250 пар комплементарных биполярных транзисторов: В=60-120, Uкэ≥50В,Iк=10 мА, Ft n-p-n=1 ГГц,Ft p-n-p= 800 МГц;
• 400 металлических резисторов: от 50 Ом до 30 кОм, ΔR=±10 %, R1/R2≤1%;
• 10 МОП- конденсаторов с емкостью от 5 до 10 пФ;
• 4 пары выходных (50 мА) и 4 пары предварительных (15 мА) комплементарных биполярных транзисторов;
• два уровня алюминиевой разводки;
• размер кристалла - 5,1х5,1 мм;
• количество выводов - 56;
• исполнения: бескорпусные микросхемы в модификации 1,2 и 4, в корпусах Н14.42-2В, Н18.64-2В.